FDZ7064AS Todos los transistores

 

FDZ7064AS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDZ7064AS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 570 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm
   Paquete / Cubierta: BGA
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FDZ7064AS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:596K  fairchild semi
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FDZ7064AS

December 2004FDZ7064AS30V N-Channel PowerTrench SyncFET BGA MOSFETFeatures General Description 13.5 A, 30 V. RDS(ON) = 5.6 m @ VGS = 10 V This MOSFET is designed to replace a single MOSFET andRDS(ON) = 7.1 m @ VGS = 4.5 V parallel Schottky diode in synchronous DC:DC power supplies.Combining Fairchilds 30V PowerTrench SyncFET process with Occupies only 14 mm2 of

 7.1. Size:186K  fairchild semi
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FDZ7064AS

May 2004 FDZ7064N 30V N-Channel Logic Level PowerTrench BGA MOSFET General Description Features Combining Fairchilds 30V PowerTrench process with 13.5 A, 30 V. RDS(ON) = 8.0 m @ VGS = 4.5 V state of the art BGA packaging, the FDZ7064N minimizes both PCB space and RDS(ON). This BGA RDS(ON) = 7.0 m @ VGS = 10 V MOSFET embodies a breakthrough in packaging technol

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History: IRLH5030 | AUIRFSA8409-7P | P1403EV8

 

 
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