FDZ7064AS - аналоги и даташиты транзистора

 

FDZ7064AS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FDZ7064AS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm
   Тип корпуса: BGA
 

 Аналог (замена) для FDZ7064AS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDZ7064AS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:596K  fairchild semi
 fdz7064as.pdf pdf_icon

FDZ7064AS

December 2004FDZ7064AS30V N-Channel PowerTrench SyncFET BGA MOSFETFeatures General Description 13.5 A, 30 V. RDS(ON) = 5.6 m @ VGS = 10 V This MOSFET is designed to replace a single MOSFET andRDS(ON) = 7.1 m @ VGS = 4.5 V parallel Schottky diode in synchronous DC:DC power supplies.Combining Fairchilds 30V PowerTrench SyncFET process with Occupies only 14 mm2 of

 7.1. Size:186K  fairchild semi
 fdz7064n.pdf pdf_icon

FDZ7064AS

May 2004 FDZ7064N 30V N-Channel Logic Level PowerTrench BGA MOSFET General Description Features Combining Fairchilds 30V PowerTrench process with 13.5 A, 30 V. RDS(ON) = 8.0 m @ VGS = 4.5 V state of the art BGA packaging, the FDZ7064N minimizes both PCB space and RDS(ON). This BGA RDS(ON) = 7.0 m @ VGS = 10 V MOSFET embodies a breakthrough in packaging technol

Другие MOSFET... FDZ294N , FDZ298N , FDZ299P , FDZ3N513ZT , FDZ4670 , FDZ4670S , FDZ493P , FDZ5047N , RU7088R , FDZ7064N , FDZ7296 , ZDX050N50 , ZDX080N50 , ZVN0106A , ZVN0124ASTOA , ZVN0124ASTOB , ZVN0124ASTZ .

History: FDZ7064N | IPB03N03LBG | ZVN0124ASTOB | STB25NM50N-1 | IPB039N10N3GE8187 | IRFP31N50L | 2N60L-T60-T

 

 
Back to Top

 


 
.