ZDX080N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ZDX080N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 98 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm

Encapsulados: TO-220FM

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ZDX080N50 datasheet

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ZDX080N50

ZDX080N50 Nch 500V 8A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 500V TO-220FM RDS(on) (Max.) 0.85W (3) ID 8A (2) (1) PD 40W lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 4) Drive circuits can be simple. *1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy. 6) Pb-free lead

Otros transistores... FDZ4670, FDZ4670S, FDZ493P, FDZ5047N, FDZ7064AS, FDZ7064N, FDZ7296, ZDX050N50, 60N06, ZVN0106A, ZVN0124ASTOA, ZVN0124ASTOB, ZVN0124ASTZ, ZVN0540ASTOA, ZVN0540ASTOB, ZVN0540ASTZ, ZVN0545ASTOA