ZDX080N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ZDX080N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 98 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO-220FM

Аналог (замена) для ZDX080N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZDX080N50 даташит

 ..1. Size:494K  rohm
 zdx080n50.pdf pdf_icon

ZDX080N50

ZDX080N50 Nch 500V 8A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 500V TO-220FM RDS(on) (Max.) 0.85W (3) ID 8A (2) (1) PD 40W lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 4) Drive circuits can be simple. *1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy. 6) Pb-free lead

Другие IGBT... FDZ4670, FDZ4670S, FDZ493P, FDZ5047N, FDZ7064AS, FDZ7064N, FDZ7296, ZDX050N50, 60N06, ZVN0106A, ZVN0124ASTOA, ZVN0124ASTOB, ZVN0124ASTZ, ZVN0540ASTOA, ZVN0540ASTOB, ZVN0540ASTZ, ZVN0545ASTOA