IRFR111 Todos los transistores

 

IRFR111 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFR111
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.54 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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IRFR111 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:282K  samsung
 irfr111 irfu111.pdf pdf_icon

IRFR111

 8.1. Size:282K  1
 irfr110 irfu110.pdf pdf_icon

IRFR111

 8.2. Size:172K  international rectifier
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IRFR111

 8.3. Size:1868K  international rectifier
 irfr110pbf irfu110pbf.pdf pdf_icon

IRFR111

PD - 95026AIRFR110PbFIRFU110PbF Lead-Free12/14/04Document Number: 91265 www.vishay.com1IRFR/U110PbFDocument Number: 91265 www.vishay.com2IRFR/U110PbFDocument Number: 91265 www.vishay.com3IRFR/U110PbFDocument Number: 91265 www.vishay.com4IRFR/U110PbFDocument Number: 91265 www.vishay.com5IRFR/U110PbFDocument Number: 91265 www.vishay.com6IRFR/U1

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History: NVTFS9D6P04M8L

 

 
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