Справочник MOSFET. IRFR111

 

IRFR111 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRFR111

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.7 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 13(max) nC

Время нарастания (tr): 24 ns

Выходная емкость (Cd): 67 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.54 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IRFR111

 

 

IRFR111 Datasheet (PDF)

0.1. irfr111 irfu111.pdf Size:282K _samsung

IRFR111
IRFR111

8.1. irfr110a irfu110a.pdf Size:255K _fairchild_semi

IRFR111
IRFR111

IRFR/U110AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 4.7 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD-PAK I-PAK Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) : 0.289 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maxim

8.2. irfr110pbf irfu110pbf.pdf Size:1868K _international_rectifier

IRFR111
IRFR111

PD - 95026AIRFR110PbFIRFU110PbF Lead-Free12/14/04Document Number: 91265 www.vishay.com1IRFR/U110PbFDocument Number: 91265 www.vishay.com2IRFR/U110PbFDocument Number: 91265 www.vishay.com3IRFR/U110PbFDocument Number: 91265 www.vishay.com4IRFR/U110PbFDocument Number: 91265 www.vishay.com5IRFR/U110PbFDocument Number: 91265 www.vishay.com6IRFR/U1

 8.3. irfr110.pdf Size:172K _international_rectifier

IRFR111
IRFR111

8.4. irfr110a.pdf Size:496K _samsung

IRFR111
IRFR111

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 4.7 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) : 0.289 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Charact

 8.5. irfr110 sihfr110.pdf Size:1455K _vishay

IRFR111
IRFR111

IRFR110, SiHFR110Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 100Definition Dynamic dV/dt RatingRDS(on) ()VGS = 10 V 0.54 Repetitive Avalanche RatedQg (Max.) (nC) 8.3 Surface Mount (IRFR110, SiHFR110)Qgs (nC) 2.3 Available in Tape and ReelQgd (nC) 3.8 Fast SwitchingConfiguration Single

8.6. irfr110pbf sihfr110.pdf Size:1479K _vishay

IRFR111
IRFR111

IRFR110, SiHFR110Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 100Definition Dynamic dV/dt RatingRDS(on) ()VGS = 10 V 0.54 Repetitive Avalanche RatedQg (Max.) (nC) 8.3 Surface Mount (IRFR110, SiHFR110)Qgs (nC) 2.3 Available in Tape and ReelQgd (nC) 3.8 Fast SwitchingConfiguration Single

Другие MOSFET... IRFR020 , IRFR022 , IRFR024 , IRFR024A , IRFR024N , IRFR025 , IRFR110 , IRFR110A , IRFZ46N , IRFR120 , IRFR1205 , IRFR120A , IRFR120N , IRFR121 , IRFR130A , IRFR1N60A , IRFR210 .

 

 
Back to Top