IRFR111 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRFR111
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.54 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для IRFR111
IRFR111 Datasheet (PDF)
irfr110pbf irfu110pbf.pdf
PD - 95026AIRFR110PbFIRFU110PbF Lead-Free12/14/04Document Number: 91265 www.vishay.com1IRFR/U110PbFDocument Number: 91265 www.vishay.com2IRFR/U110PbFDocument Number: 91265 www.vishay.com3IRFR/U110PbFDocument Number: 91265 www.vishay.com4IRFR/U110PbFDocument Number: 91265 www.vishay.com5IRFR/U110PbFDocument Number: 91265 www.vishay.com6IRFR/U1
Другие MOSFET... IRFR020 , IRFR022 , IRFR024 , IRFR024A , IRFR024N , IRFR025 , IRFR110 , IRFR110A , IRLZ44N , IRFR120 , IRFR1205 , IRFR120A , IRFR120N , IRFR121 , IRFR130A , IRFR1N60A , IRFR210 .
History: FQD4P25TM | IXTP80N12T2 | IRF1104S | MTP2317N3 | IRFR120N | IPD33CN10NG
History: FQD4P25TM | IXTP80N12T2 | IRF1104S | MTP2317N3 | IRFR120N | IPD33CN10NG
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058 | ss8550










