IRFR111. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFR111

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.54 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IRFR111

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR111 даташит

 ..1. Size:282K  samsung
 irfr111 irfu111.pdf pdf_icon

IRFR111

 8.1. Size:282K  1
 irfr110 irfu110.pdf pdf_icon

IRFR111

 8.2. Size:172K  international rectifier
 irfr110.pdf pdf_icon

IRFR111

 8.3. Size:1868K  international rectifier
 irfr110pbf irfu110pbf.pdf pdf_icon

IRFR111

PD - 95026A IRFR110PbF IRFU110PbF Lead-Free 12/14/04 Document Number 91265 www.vishay.com 1 IRFR/U110PbF Document Number 91265 www.vishay.com 2 IRFR/U110PbF Document Number 91265 www.vishay.com 3 IRFR/U110PbF Document Number 91265 www.vishay.com 4 IRFR/U110PbF Document Number 91265 www.vishay.com 5 IRFR/U110PbF Document Number 91265 www.vishay.com 6 IRFR/U1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFR020, IRFR022, IRFR024, IRFR024A, IRFR024N, IRFR025, IRFR110, IRFR110A, IRLZ44N, IRFR120, IRFR1205, IRFR120A, IRFR120N, IRFR121, IRFR130A, IRFR1N60A, IRFR210