IRFPE52 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IRFPE52 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFPE52

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO-247AC

Búsqueda de reemplazo de IRFPE52 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

IRFPE52 datasheet

..1. Size:123K international rectifier
irfpc32 irfpe20 irfpe22 irfpe32 irfpe42 irfpe52 irfpf20 irfpf22 irfpf32 irfpf42 irfpf52 irfpg20 irfpg22 irfpg32 irfpg42 irfpg52.pdf pdf_icon

8.1. Size:852K international rectifier
irfpe50.pdf pdf_icon

PD - 94845 IRFPE50PbF Lead-Free 11/14/03 Document Number 91248 www.vishay.com 1 IRFPE50PbF Document Number 91248 www.vishay.com 2 IRFPE50PbF Document Number 91248 www.vishay.com 3 IRFPE50PbF Document Number 91248 www.vishay.com 4 IRFPE50PbF Document Number 91248 www.vishay.com 5 IRFPE50PbF Document Number 91248 www.vishay.com 6 IRFPE50PbF TO-247AC Package O

8.2. Size:1575K vishay
irfpe50pbf.pdf pdf_icon

IRFPE50, SiHFPE50 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 800 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.2 RoHS* Isolated Central Mounting Hole Qg (Max.) (nC) 200 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 24 Qgd (nC) 110 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requirements Complian

8.3. Size:1610K vishay
irfpe50 sihfpe50.pdf pdf_icon

Otros transistores... IRFPC60PBF, IRFPE20, IRFPE22, IRFPE30PBF, IRFPE32, IRFPE40PBF, IRFPE42, IRFPE50PBF, IRFP250N, IRFPF20, IRFPF22, IRFPF30PBF, IRFPF32, IRFPF40PBF, IRFPF42, IRFPF52, IRFPG20

IRFPE52 Todos los transistores