IRFPE52. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFPE52

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO-247AC

Аналог (замена) для IRFPE52

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFPE52 даташит

 8.1. Size:852K  international rectifier
irfpe50.pdfpdf_icon

IRFPE52

PD - 94845 IRFPE50PbF Lead-Free 11/14/03 Document Number 91248 www.vishay.com 1 IRFPE50PbF Document Number 91248 www.vishay.com 2 IRFPE50PbF Document Number 91248 www.vishay.com 3 IRFPE50PbF Document Number 91248 www.vishay.com 4 IRFPE50PbF Document Number 91248 www.vishay.com 5 IRFPE50PbF Document Number 91248 www.vishay.com 6 IRFPE50PbF TO-247AC Package O

 8.2. Size:1575K  vishay
irfpe50pbf.pdfpdf_icon

IRFPE52

IRFPE50, SiHFPE50 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 800 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.2 RoHS* Isolated Central Mounting Hole Qg (Max.) (nC) 200 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 24 Qgd (nC) 110 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requirements Complian

 8.3. Size:1610K  vishay
irfpe50 sihfpe50.pdfpdf_icon

IRFPE52

IRFPE50, SiHFPE50 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 800 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.2 RoHS* Isolated Central Mounting Hole Qg (Max.) (nC) 200 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 24 Qgd (nC) 110 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requirements Complian

Другие IGBT... IRFPC60PBF, IRFPE20, IRFPE22, IRFPE30PBF, IRFPE32, IRFPE40PBF, IRFPE42, IRFPE50PBF, IRFP250N, IRFPF20, IRFPF22, IRFPF30PBF, IRFPF32, IRFPF40PBF, IRFPF42, IRFPF52, IRFPG20