IRFPG32 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFPG32

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.7 Ohm

Encapsulados: TO-247AC

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IRFPG32 datasheet

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 irfpc32 irfpe20 irfpe22 irfpe32 irfpe42 irfpe52 irfpf20 irfpf22 irfpf32 irfpf42 irfpf52 irfpg20 irfpg22 irfpg32 irfpg42 irfpg52.pdf pdf_icon

IRFPG32

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IRFPG32

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IRFPG32

PD- 95718 IRFPG30PbF Lead-Free 8/3/04 Document Number 91252 www.vishay.com 1 IRFPG30PbF Document Number 91252 www.vishay.com 2 IRFPG30PbF Document Number 91252 www.vishay.com 3 IRFPG30PbF Document Number 91252 www.vishay.com 4 IRFPG30PbF Document Number 91252 www.vishay.com 5 IRFPG30PbF Document Number 91252 www.vishay.com 6 IRFPG30PbF Peak Diode Recovery d

 8.3. Size:1740K  vishay
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IRFPG32

IRFPG30, SiHFPG30 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 1000 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 5.0 RoHS* Isolated Central Mounting Hole Qg (Max.) (nC) 80 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 10 Ease of Paralleling Qgd (nC) 42 Simple Drive Requirements Configuration Single Complian

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