IRFPG32 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFPG32
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.7 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247AC

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFPG32

IRFPG32 Datasheet (PDF)

..1. Size:123K international rectifier
irfpc32 irfpe20 irfpe22 irfpe32 irfpe42 irfpe52 irfpf20 irfpf22 irfpf32 irfpf42 irfpf52 irfpg20 irfpg22 irfpg32 irfpg42 irfpg52.pdf

8.1. Size:168K international rectifier
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8.2. Size:1749K international rectifier
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PD- 95718IRFPG30PbF Lead-Free8/3/04Document Number: 91252 www.vishay.com1IRFPG30PbFDocument Number: 91252 www.vishay.com2IRFPG30PbFDocument Number: 91252 www.vishay.com3IRFPG30PbFDocument Number: 91252 www.vishay.com4IRFPG30PbFDocument Number: 91252 www.vishay.com5IRFPG30PbFDocument Number: 91252 www.vishay.com6IRFPG30PbFPeak Diode Recovery d

8.3. Size:1740K vishay
irfpg30pbf sihfpg30.pdf

IRFPG30, SiHFPG30Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 1000Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 5.0RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 80 COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 10 Ease of ParallelingQgd (nC) 42 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Complian

8.4. Size:1733K vishay
irfpg30 sihfpg30.pdf