IRFPG32. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFPG32

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.7 Ohm

Тип корпуса: TO-247AC

Аналог (замена) для IRFPG32

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFPG32 даташит

 ..1. Size:123K  international rectifier
 irfpc32 irfpe20 irfpe22 irfpe32 irfpe42 irfpe52 irfpf20 irfpf22 irfpf32 irfpf42 irfpf52 irfpg20 irfpg22 irfpg32 irfpg42 irfpg52.pdf pdf_icon

IRFPG32

 8.1. Size:168K  international rectifier
 irfpg30.pdf pdf_icon

IRFPG32

 8.2. Size:1749K  international rectifier
 irfpg30pbf.pdf pdf_icon

IRFPG32

PD- 95718 IRFPG30PbF Lead-Free 8/3/04 Document Number 91252 www.vishay.com 1 IRFPG30PbF Document Number 91252 www.vishay.com 2 IRFPG30PbF Document Number 91252 www.vishay.com 3 IRFPG30PbF Document Number 91252 www.vishay.com 4 IRFPG30PbF Document Number 91252 www.vishay.com 5 IRFPG30PbF Document Number 91252 www.vishay.com 6 IRFPG30PbF Peak Diode Recovery d

 8.3. Size:1740K  vishay
 irfpg30pbf sihfpg30.pdf pdf_icon

IRFPG32

IRFPG30, SiHFPG30 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 1000 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 5.0 RoHS* Isolated Central Mounting Hole Qg (Max.) (nC) 80 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 10 Ease of Paralleling Qgd (nC) 42 Simple Drive Requirements Configuration Single Complian

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFPF30PBF, IRFPF32, IRFPF40PBF, IRFPF42, IRFPF52, IRFPG20, IRFPG22, IRFPG30PBF, K3569, IRFPG40PBF, IRFPG42, IRFPG50PBF, IRFPG52, IRFPS29N60LPBF, IRFPS30N60KPBF, IRFPS35N50LPBF, IRFPS37N50APBF