ZVP3306ASTOB Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ZVP3306ASTOB  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.625 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 14 Ohm

Encapsulados: TO-92

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ZVP3306ASTOB datasheet

 ..1. Size:65K  diodes
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ZVP3306ASTOB

P-CHANNEL ENHANCEMENT ZVP3306A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 T V I VD VGS= D -16V -14V -12V D -10V E-Line -9V -8V TO92 Compatible -7V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. -6V T V IT -5V -4.5V D i V I VD V 8 -10 i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I

 6.1. Size:87K  diodes
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ZVP3306ASTOB

P-CHANNEL ENHANCEMENT ZVP3306A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 T V I VD VGS= D -16V -14V -12V D -10V E-Line -9V -8V TO92 Compatible -7V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. -6V T V IT -5V -4.5V D i V I VD V 8 -10 i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I

 7.1. Size:89K  diodes
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ZVP3306ASTOB

SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT 6F ZVP3306F MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 3 JANUARY 1996 T V I VD D S V D V V T I D T I V G T T V V V 8V SOT23 V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. V T V IT V V D i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I

 7.2. Size:115K  diodes
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ZVP3306ASTOB

SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT 6F ZVP3306F MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 3 JANUARY 1996 T V I VD D S V D V V T I D T I V G T T V V V 8V SOT23 V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. V T V IT V V D i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I

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