ZVP3306ASTOB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ZVP3306ASTOB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.625 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 Vtrⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 14 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-92
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ZVP3306ASTOB
ZVP3306ASTOB Datasheet (PDF)
zvp3306astoa zvp3306astob.pdf
P-CHANNEL ENHANCEMENTZVP3306AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94 T V I VD VGS=D -16V -14V-12VD-10VE-Line-9V-8V TO92 Compatible-7VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.-6V T V IT-5V-4.5VD i V I VD V8 -10 i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I
zvp3306a.pdf
P-CHANNEL ENHANCEMENTZVP3306AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94 T V I VD VGS=D -16V -14V-12VD-10VE-Line-9V-8V TO92 Compatible-7VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.-6V T V IT-5V-4.5VD i V I VD V8 -10 i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I
zvp3306fta zvp3306ftc.pdf
SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT6F ZVP3306FMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 JANUARY 1996 T V I VD DS V D V V T I D T I VG T T V V V 8VSOT23 VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. V T V IT V VD i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I
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SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT6F ZVP3306FMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 JANUARY 1996 T V I VD DS V D V V T I D T I VG T T V V V 8VSOT23 VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. V T V IT V VD i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I
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ZVP3306FTAwww.VBsemi.twP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () VGS(th) (V) ID (mA)Definition TrenchFET Power MOSFET- 60 3 at VGS = - 10 V - 1 to - 3 -500 High-Side Switching Low On-Resistance: 3 Low Threshold: - 2 V (typ.) Fast Swtiching Speed: 20 ns (typ.) Lo
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Liste
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