ZVP3306ASTOB MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ZVP3306ASTOB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.625 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.16 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 14 Ohm
Тип корпуса: TO-92
Аналог (замена) для ZVP3306ASTOB
ZVP3306ASTOB Datasheet (PDF)
zvp3306astoa zvp3306astob.pdf
P-CHANNEL ENHANCEMENTZVP3306AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94 T V I VD VGS=D -16V -14V-12VD-10VE-Line-9V-8V TO92 Compatible-7VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.-6V T V IT-5V-4.5VD i V I VD V8 -10 i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I
zvp3306a.pdf
P-CHANNEL ENHANCEMENTZVP3306AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94 T V I VD VGS=D -16V -14V-12VD-10VE-Line-9V-8V TO92 Compatible-7VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.-6V T V IT-5V-4.5VD i V I VD V8 -10 i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I
zvp3306fta zvp3306ftc.pdf
SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT6F ZVP3306FMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 JANUARY 1996 T V I VD DS V D V V T I D T I VG T T V V V 8VSOT23 VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. V T V IT V VD i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I
zvp3306f.pdf
SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT6F ZVP3306FMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 JANUARY 1996 T V I VD DS V D V V T I D T I VG T T V V V 8VSOT23 VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. V T V IT V VD i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I
zvp3306fta.pdf
ZVP3306FTAwww.VBsemi.twP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () VGS(th) (V) ID (mA)Definition TrenchFET Power MOSFET- 60 3 at VGS = - 10 V - 1 to - 3 -500 High-Side Switching Low On-Resistance: 3 Low Threshold: - 2 V (typ.) Fast Swtiching Speed: 20 ns (typ.) Lo
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F