ZXMN0545G4TA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ZXMN0545G4TA
   Código: ZXMN0545
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 450 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 0.14 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Tiempo de subida (tr): 7 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 10 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 50 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223

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ZXMN0545G4TA Datasheet (PDF)

..1. Size:211K zetex
zxmn0545g4ta.pdf

ZXMN0545G4450V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS = 450V; RDS(ON) = 50 ; ID = 140mADESCRIPTIONThis 450V enhancement mode N-channel MOSFET provides users with acompetitive specification offering efficient power handling capability, highimpedance and is free from thermal runaway and thermally inducedsecondary breakdown. Applications benefiting from this device includ

4.1. Size:213K diodes
zxmn0545g4.pdf

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Liste

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