ZXMN0545G4TA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ZXMN0545G4TA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 450 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.14 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 50 Ohm

Encapsulados: SOT-223

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ZXMN0545G4TA datasheet

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ZXMN0545G4TA

ZXMN0545G4 450V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS = 450V; RDS(ON) = 50 ; ID = 140mA DESCRIPTION This 450V enhancement mode N-channel MOSFET provides users with a competitive specification offering efficient power handling capability, high impedance and is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. Applications benefiting from this device includ

 4.1. Size:213K  diodes
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ZXMN0545G4TA

ZXMN0545G4 450V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS = 450V; RDS(ON) = 50 ; ID = 140mA DESCRIPTION This 450V enhancement mode N-channel MOSFET provides users with a competitive specification offering efficient power handling capability, high impedance and is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. Applications benefiting from this device includ

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