ZXMN0545G4TA Todos los transistores

 

ZXMN0545G4TA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ZXMN0545G4TA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.14 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 50 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223
     - Selección de transistores por parámetros

 

ZXMN0545G4TA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  zetex
 zxmn0545g4ta.pdf pdf_icon

ZXMN0545G4TA

ZXMN0545G4450V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS = 450V; RDS(ON) = 50 ; ID = 140mADESCRIPTIONThis 450V enhancement mode N-channel MOSFET provides users with acompetitive specification offering efficient power handling capability, highimpedance and is free from thermal runaway and thermally inducedsecondary breakdown. Applications benefiting from this device includ

 4.1. Size:213K  diodes
 zxmn0545g4.pdf pdf_icon

ZXMN0545G4TA

ZXMN0545G4450V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS = 450V; RDS(ON) = 50 ; ID = 140mADESCRIPTIONThis 450V enhancement mode N-channel MOSFET provides users with acompetitive specification offering efficient power handling capability, highimpedance and is free from thermal runaway and thermally inducedsecondary breakdown. Applications benefiting from this device includ

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History: IRFZ24L

 

 
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