ZXMN0545G4TA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ZXMN0545G4TA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.14 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 50 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для ZXMN0545G4TA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMN0545G4TA даташит

 ..1. Size:211K  zetex
 zxmn0545g4ta.pdf pdf_icon

ZXMN0545G4TA

ZXMN0545G4 450V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS = 450V; RDS(ON) = 50 ; ID = 140mA DESCRIPTION This 450V enhancement mode N-channel MOSFET provides users with a competitive specification offering efficient power handling capability, high impedance and is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. Applications benefiting from this device includ

 4.1. Size:213K  diodes
 zxmn0545g4.pdf pdf_icon

ZXMN0545G4TA

ZXMN0545G4 450V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS = 450V; RDS(ON) = 50 ; ID = 140mA DESCRIPTION This 450V enhancement mode N-channel MOSFET provides users with a competitive specification offering efficient power handling capability, high impedance and is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. Applications benefiting from this device includ

Другие IGBT... ZXM64P035GTA, ZXM64P03XTA, ZXM66N02N8TA, ZXM66N03N8TA, ZXM66P02N8TA, ZXM66P02N8TC, ZXM66P03N8TA, ZXMD63C02X, 2SK3878, ZXMN10A07FTA, ZXMN10A07FTC, ZXMN10A07ZTA, ZXMN10A08E6TA, ZXMN10A08E6TC, ZXMN10A09KTC, ZXMN10A11GTA, ZXMN10A11GTC