Справочник MOSFET. ZXMN0545G4TA

 

ZXMN0545G4TA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ZXMN0545G4TA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.14 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 50 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для ZXMN0545G4TA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMN0545G4TA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  zetex
 zxmn0545g4ta.pdf pdf_icon

ZXMN0545G4TA

ZXMN0545G4450V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS = 450V; RDS(ON) = 50 ; ID = 140mADESCRIPTIONThis 450V enhancement mode N-channel MOSFET provides users with acompetitive specification offering efficient power handling capability, highimpedance and is free from thermal runaway and thermally inducedsecondary breakdown. Applications benefiting from this device includ

 4.1. Size:213K  diodes
 zxmn0545g4.pdf pdf_icon

ZXMN0545G4TA

ZXMN0545G4450V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS = 450V; RDS(ON) = 50 ; ID = 140mADESCRIPTIONThis 450V enhancement mode N-channel MOSFET provides users with acompetitive specification offering efficient power handling capability, highimpedance and is free from thermal runaway and thermally inducedsecondary breakdown. Applications benefiting from this device includ

Другие MOSFET... ZXM64P035GTA , ZXM64P03XTA , ZXM66N02N8TA , ZXM66N03N8TA , ZXM66P02N8TA , ZXM66P02N8TC , ZXM66P03N8TA , ZXMD63C02X , IRFP260 , ZXMN10A07FTA , ZXMN10A07FTC , ZXMN10A07ZTA , ZXMN10A08E6TA , ZXMN10A08E6TC , ZXMN10A09KTC , ZXMN10A11GTA , ZXMN10A11GTC .

History: ZXM66N02N8TA | ZXM66P02N8TA | ZXM66P02N8TC

 

 
Back to Top

 


 
.