ZXMN0545G4TA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: ZXMN0545G4TA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.14 A
tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 50 Ohm
Тип корпуса: SOT-223
Аналог (замена) для ZXMN0545G4TA
ZXMN0545G4TA Datasheet (PDF)
zxmn0545g4ta.pdf
ZXMN0545G4 450V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS = 450V; RDS(ON) = 50 ; ID = 140mA DESCRIPTION This 450V enhancement mode N-channel MOSFET provides users with a competitive specification offering efficient power handling capability, high impedance and is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. Applications benefiting from this device includ
zxmn0545g4.pdf
ZXMN0545G4 450V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS = 450V; RDS(ON) = 50 ; ID = 140mA DESCRIPTION This 450V enhancement mode N-channel MOSFET provides users with a competitive specification offering efficient power handling capability, high impedance and is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. Applications benefiting from this device includ
Другие MOSFET... ZXM64P035GTA , ZXM64P03XTA , ZXM66N02N8TA , ZXM66N03N8TA , ZXM66P02N8TA , ZXM66P02N8TC , ZXM66P03N8TA , ZXMD63C02X , 2SK3878 , ZXMN10A07FTA , ZXMN10A07FTC , ZXMN10A07ZTA , ZXMN10A08E6TA , ZXMN10A08E6TC , ZXMN10A09KTC , ZXMN10A11GTA , ZXMN10A11GTC .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q | AP25N06K | AP2335 | AP2318A | AP2317SD | AP2317QD | AP2317A | AP2316 | AP2310 | AP2301B | AP20P30S
Popular searches
2sc1913 | c2314 transistor | c2482 transistor | 2sc1222 replacement | 2sa725 | c5242 transistor | 2sa726 replacement | a1941 datasheet