ZXMN3A01FTC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ZXMN3A01FTC
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.625 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ZXMN3A01FTC
ZXMN3A01FTC Datasheet (PDF)
zxmn3a01f.pdf
Product specification ZXMN3A01F 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS = 30V; RDS(ON) = 0.12 ID = 2.0A DESCRIPTION This new generation of TRENCH MOSFETs from TY utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. FEATURES SOT23
Otros transistores... ZXMN2B03E6TA , ZXMN2B14FHTA , ZXMN2F30FHTA , ZXMN2F34FHTA , ZXMN2F34MATA , ZXMN3A01E6TA , ZXMN3A01E6TC , ZXMN3A01FTA , RFP50N06 , ZXMN3A01Z , ZXMN3A02N8TA , ZXMN3A02X8TA , ZXMN3A02X8TC , ZXMN3A03E6TA , ZXMN3A03E6TC , ZXMN3A04KTC , ZXMN3A14FTA .
Liste
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