ZXMN3A01FTC Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ZXMN3A01FTC  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.625 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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ZXMN3A01FTC datasheet

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ZXMN3A01FTC

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ZXMN3A01FTC

 5.1. Size:193K  diodes
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ZXMN3A01FTC

 5.2. Size:104K  tysemi
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ZXMN3A01FTC

Product specification ZXMN3A01F 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS = 30V; RDS(ON) = 0.12 ID = 2.0A DESCRIPTION This new generation of TRENCH MOSFETs from TY utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. FEATURES SOT23

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