ZXMN3A01FTC datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ZXMN3A01FTC  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.625 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для ZXMN3A01FTC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMN3A01FTC даташит

 ..1. Size:191K  zetex
 zxmn3a01ftc.pdf pdf_icon

ZXMN3A01FTC

 4.1. Size:191K  zetex
 zxmn3a01fta.pdf pdf_icon

ZXMN3A01FTC

 5.1. Size:193K  diodes
 zxmn3a01f.pdf pdf_icon

ZXMN3A01FTC

 5.2. Size:104K  tysemi
 zxmn3a01f.pdf pdf_icon

ZXMN3A01FTC

Product specification ZXMN3A01F 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS = 30V; RDS(ON) = 0.12 ID = 2.0A DESCRIPTION This new generation of TRENCH MOSFETs from TY utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. FEATURES SOT23

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... ZXMN2B03E6TA, ZXMN2B14FHTA, ZXMN2F30FHTA, ZXMN2F34FHTA, ZXMN2F34MATA, ZXMN3A01E6TA, ZXMN3A01E6TC, ZXMN3A01FTA, RFP50N06, ZXMN3A01Z, ZXMN3A02N8TA, ZXMN3A02X8TA, ZXMN3A02X8TC, ZXMN3A03E6TA, ZXMN3A03E6TC, ZXMN3A04KTC, ZXMN3A14FTA