ZXMN4A06KTC Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ZXMN4A06KTC  📄📄 

Código: ZXMN4A06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 9.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 17.1 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 3.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 133 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: DPAK

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ZXMN4A06KTC datasheet

 ..1. Size:561K  zetex
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ZXMN4A06KTC

 5.1. Size:564K  diodes
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ZXMN4A06KTC

 6.1. Size:168K  diodes
 zxmn4a06g.pdf pdf_icon

ZXMN4A06KTC

ZXMN4A06G 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS= 40V; RDS(ON)= 0.05 ID= 7A DESCRIPTION This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. FEATURES SOT223 Low on-resistance F

 6.2. Size:376K  diodes
 zxmn4a06gq.pdf pdf_icon

ZXMN4A06KTC

ZXMN4A06GQ Green 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25 C Fast Switching Speed 40V 0.05 @ VGS = 10V 7A Low Threshold Low Gate Drive Description Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) This new generation MOSFET

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