ZXMN4A06KTC Todos los transistores

 

ZXMN4A06KTC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ZXMN4A06KTC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 9.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 133 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

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ZXMN4A06KTC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:561K  zetex
zxmn4a06ktc.pdf pdf_icon

ZXMN4A06KTC

 5.1. Size:564K  diodes
zxmn4a06k.pdf pdf_icon

ZXMN4A06KTC

 6.1. Size:168K  diodes
zxmn4a06g.pdf pdf_icon

ZXMN4A06KTC

ZXMN4A06G 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS= 40V; RDS(ON)= 0.05 ID= 7A DESCRIPTION This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. FEATURES SOT223 Low on-resistance F

 6.2. Size:376K  diodes
zxmn4a06gq.pdf pdf_icon

ZXMN4A06KTC

ZXMN4A06GQ Green 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25 C Fast Switching Speed 40V 0.05 @ VGS = 10V 7A Low Threshold Low Gate Drive Description Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) This new generation MOSFET

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