ZXMNS3BM832TA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ZXMNS3BM832TA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.72 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 1.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: MLP832

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ZXMNS3BM832TA

ZXMNS3BM832TA Datasheet (PDF)

..1. Size:124K zetex
zxmns3bm832ta.pdf

ZXMNS3BM832MPPS Miniature Package Power Solutions30V N Channel MOSFET & 40V, 1A SCHOTTKY DIODE COMBINATIONDUALSUMMARYN Channel MOSFET--- V(BR)DSS =30V; RSAT(on) =0.18 ; = 2.7ADSchottky Diode --- VR = 40V; VF = 500mV (@1A); IC=1ADESCRIPTIONPackaged in the new innovation 3mm x 2mm MLP this combination dualproduct comprises a low gate drive, low on-resistance N-Channel MOSFE

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: