ZXMNS3BM832TA Todos los transistores

 

ZXMNS3BM832TA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ZXMNS3BM832TA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.72 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 1.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: MLP832
 

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ZXMNS3BM832TA Datasheet (PDF)

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ZXMNS3BM832TA

ZXMNS3BM832MPPS Miniature Package Power Solutions30V N Channel MOSFET & 40V, 1A SCHOTTKY DIODE COMBINATIONDUALSUMMARYN Channel MOSFET--- V(BR)DSS =30V; RSAT(on) =0.18 ; = 2.7ADSchottky Diode --- VR = 40V; VF = 500mV (@1A); IC=1ADESCRIPTIONPackaged in the new innovation 3mm x 2mm MLP this combination dualproduct comprises a low gate drive, low on-resistance N-Channel MOSFE

Otros transistores... ZXMN6A09KTC , ZXMN6A11GTA , ZXMN6A11GTC , ZXMN6A11ZTA , ZXMN6A25GTA , ZXMN6A25KTC , ZXMN7A11GTA , ZXMN7A11KTC , BS170 , ZXMP10A13FTA , ZXMP10A16KTC , ZXMP10A17E6Q , ZXMP10A17E6TA , ZXMP10A18GTA , ZXMP10A18KTC , ZXMP2120E5TA , ZXMP2120FFTA .

History: IPB160N04S4L-H1 | NCEP40P65QU | 2SK655 | AP75T10GP | PM516BZ | P5015BD | HGP130N12SL

 

 
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