ZXMNS3BM832TA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ZXMNS3BM832TA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.72 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
trⓘ - Время нарастания: 1.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: MLP832
Аналог (замена) для ZXMNS3BM832TA
ZXMNS3BM832TA Datasheet (PDF)
zxmns3bm832ta.pdf
ZXMNS3BM832MPPS Miniature Package Power Solutions30V N Channel MOSFET & 40V, 1A SCHOTTKY DIODE COMBINATIONDUALSUMMARYN Channel MOSFET--- V(BR)DSS =30V; RSAT(on) =0.18 ; = 2.7ADSchottky Diode --- VR = 40V; VF = 500mV (@1A); IC=1ADESCRIPTIONPackaged in the new innovation 3mm x 2mm MLP this combination dualproduct comprises a low gate drive, low on-resistance N-Channel MOSFE
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918