SI1002R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI1002R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.22 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.61 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.56 Ohm
Paquete / Cubierta: SC-75A
- Selección de transistores por parámetros
SI1002R Datasheet (PDF)
si1002r.pdf

Si1002Rwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) 100 % Rg tested0.560 at VGS = 4.5 V 0.5 Gate-source ESD protected: 1000 V0.620 at VGS = 2.5 V 0.230 0.72 nC Material categorization:0.700 at VGS = 1.8 V 0.2For definitions of compliance please see1.
psi100-06.pdf

TMECO-PAC 2PSIG 100/06IGBT Module IC25 = 93 APSI 100/06*VCES = 600 VPreliminary Data SheetPSIS 100/06*VCE(sat)typ.= 2.4 VPSSI 100/06*X15AC 1IK 10OP 9NTCL9X13 L9E2E2T16GH 10 NTC X16X15X15 L9K10F1X16NTCVX 18 IK 10AC 1X16PSIS 100/06*PSSI 100/06*PSI 100/06*IGBTsLMN S A IJKSymbol Conditions Maximum RatingsVCES TVJ = 25C to 150
pssi100-06.pdf

TMECO-PAC 2PSIG 100/06IGBT Module IC25 = 93 APSI 100/06*VCES = 600 VPreliminary Data SheetPSIS 100/06*VCE(sat)typ.= 2.4 VPSSI 100/06*X15AC 1IK 10OP 9NTCL9X13 L9E2E2T16GH 10 NTC X16X15X15 L9K10F1X16NTCVX 18 IK 10AC 1X16PSIS 100/06*PSSI 100/06*PSI 100/06*IGBTsLMN S A IJKSymbol Conditions Maximum RatingsVCES TVJ = 25C to 150
pssi100-12.pdf

ECO-PACTM 2PSIG 100/12IGBT Module IC25 = 138 APSIS 100/12*VCES = 1200 VShort Circuit SOA CapabilityPSSI 100/12*Square RBSOAVCE(sat)typ.= 2.8 VPreliminary Data SheetX15AC 1IK 10NTCLMN S A IJKL9T16X16X15L9F1NTCIK 10AC 1X16PSIG 100/12 PSIS 100/12*PSSI 100/12*IGBTs*NTC optionalSymbol Conditions Maximum RatingsVCES TVJ = 25C to 150C 120
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: NTB6410AN | SDF1NA60



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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