SI1002R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI1002R
Código: L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.22 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.61 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 Vtrⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.56 Ohm
Paquete / Cubierta: SC-75A
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI1002R
SI1002R Datasheet (PDF)
si1002r.pdf
Si1002Rwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) 100 % Rg tested0.560 at VGS = 4.5 V 0.5 Gate-source ESD protected: 1000 V0.620 at VGS = 2.5 V 0.230 0.72 nC Material categorization:0.700 at VGS = 1.8 V 0.2For definitions of compliance please see1.
psi100-06.pdf
TMECO-PAC 2PSIG 100/06IGBT Module IC25 = 93 APSI 100/06*VCES = 600 VPreliminary Data SheetPSIS 100/06*VCE(sat)typ.= 2.4 VPSSI 100/06*X15AC 1IK 10OP 9NTCL9X13 L9E2E2T16GH 10 NTC X16X15X15 L9K10F1X16NTCVX 18 IK 10AC 1X16PSIS 100/06*PSSI 100/06*PSI 100/06*IGBTsLMN S A IJKSymbol Conditions Maximum RatingsVCES TVJ = 25C to 150
pssi100-06.pdf
TMECO-PAC 2PSIG 100/06IGBT Module IC25 = 93 APSI 100/06*VCES = 600 VPreliminary Data SheetPSIS 100/06*VCE(sat)typ.= 2.4 VPSSI 100/06*X15AC 1IK 10OP 9NTCL9X13 L9E2E2T16GH 10 NTC X16X15X15 L9K10F1X16NTCVX 18 IK 10AC 1X16PSIS 100/06*PSSI 100/06*PSI 100/06*IGBTsLMN S A IJKSymbol Conditions Maximum RatingsVCES TVJ = 25C to 150
pssi100-12.pdf
ECO-PACTM 2PSIG 100/12IGBT Module IC25 = 138 APSIS 100/12*VCES = 1200 VShort Circuit SOA CapabilityPSSI 100/12*Square RBSOAVCE(sat)typ.= 2.8 VPreliminary Data SheetX15AC 1IK 10NTCLMN S A IJKL9T16X16X15L9F1NTCIK 10AC 1X16PSIG 100/12 PSIS 100/12*PSSI 100/12*IGBTs*NTC optionalSymbol Conditions Maximum RatingsVCES TVJ = 25C to 150C 120
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918