Справочник MOSFET. SI1002R

 

SI1002R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI1002R
   Маркировка: L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.22 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.61 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.56 Ohm
   Тип корпуса: SC-75A

 Аналог (замена) для SI1002R

 

 

SI1002R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  vishay
 si1002r.pdf

SI1002R SI1002R

Si1002Rwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) 100 % Rg tested0.560 at VGS = 4.5 V 0.5 Gate-source ESD protected: 1000 V0.620 at VGS = 2.5 V 0.230 0.72 nC Material categorization:0.700 at VGS = 1.8 V 0.2For definitions of compliance please see1.

 9.1. Size:173K  powersem
 psi100-06.pdf

SI1002R SI1002R

TMECO-PAC 2PSIG 100/06IGBT Module IC25 = 93 APSI 100/06*VCES = 600 VPreliminary Data SheetPSIS 100/06*VCE(sat)typ.= 2.4 VPSSI 100/06*X15AC 1IK 10OP 9NTCL9X13 L9E2E2T16GH 10 NTC X16X15X15 L9K10F1X16NTCVX 18 IK 10AC 1X16PSIS 100/06*PSSI 100/06*PSI 100/06*IGBTsLMN S A IJKSymbol Conditions Maximum RatingsVCES TVJ = 25C to 150

 9.2. Size:173K  powersem
 pssi100-06.pdf

SI1002R SI1002R

TMECO-PAC 2PSIG 100/06IGBT Module IC25 = 93 APSI 100/06*VCES = 600 VPreliminary Data SheetPSIS 100/06*VCE(sat)typ.= 2.4 VPSSI 100/06*X15AC 1IK 10OP 9NTCL9X13 L9E2E2T16GH 10 NTC X16X15X15 L9K10F1X16NTCVX 18 IK 10AC 1X16PSIS 100/06*PSSI 100/06*PSI 100/06*IGBTsLMN S A IJKSymbol Conditions Maximum RatingsVCES TVJ = 25C to 150

 9.3. Size:171K  powersem
 pssi100-12.pdf

SI1002R SI1002R

ECO-PACTM 2PSIG 100/12IGBT Module IC25 = 138 APSIS 100/12*VCES = 1200 VShort Circuit SOA CapabilityPSSI 100/12*Square RBSOAVCE(sat)typ.= 2.8 VPreliminary Data SheetX15AC 1IK 10NTCLMN S A IJKL9T16X16X15L9F1NTCIK 10AC 1X16PSIG 100/12 PSIS 100/12*PSSI 100/12*IGBTs*NTC optionalSymbol Conditions Maximum RatingsVCES TVJ = 25C to 150C 120

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2SK2968 | JCS4N80FH

 

 
Back to Top