SI1040X Todos los transistores

 

SI1040X MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI1040X
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.147 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 8 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.43 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.625 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-89-6
 

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SI1040X datasheet

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SI1040X

Si1040X Vishay Siliconix Load Switch with Level-Shift FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS2 (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.625 at VIN = 4.5 V 0.43 TrenchFET Power MOSFET 0.890 at VIN = 2.5 V 1.8 to 8 0.36 1.8 V to 8 V Input 1.25 at VIN = 1.8 V 0.3 1.5 V to 8 V Logic Level Control Smallest LITTLE FOOT

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SI1040X

Si1046R Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.420 at VGS = 4.5 V 0.606 TrenchFET Power MOSFET 1.8 V Rated 20 0.501 at VGS = 2.5 V 0.505 0.92 ESD Protected 2000 V 0.660 at VGS = 1.8 V 0.15 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPL

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SI1040X

New Product Si1046X Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.420 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET 1.8 V Rated 0.606 ESD Protected 2000 V 0.501 at VGS = 2.5 V 20 0.505 0.92 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.660 at VGS = 1.

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