SI1040X MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI1040X

Código: P*

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.147 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 8 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 8 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.43 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.625 Ohm

Empaquetado / Estuche: SC-89-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI1040X

SI1040X Datasheet (PDF)

1.1. si1040x.pdf Size:145K _vishay

Si1040X Vishay Siliconix Load Switch with Level-Shift FEATURES PRODUCT SUMMARY • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS2 (V) RDS(on) ()ID (A) Definition 0.625 at VIN = 4.5 V ± 0.43 • TrenchFET® Power MOSFET 0.890 at VIN = 2.5 V 1.8 to 8 ± 0.36 • 1.8 V to 8 V Input 1.25 at VIN = 1.8 V ± 0.3 • 1.5 V to 8 V Logic Level Control • Smallest LITTLE FOOT

5.1. si1046x.pdf Size:115K _vishay

New Product Si1046X Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) (Ω) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.420 at VGS = 4.5 V • TrenchFET® Power MOSFET: 1.8 V Rated 0.606 • ESD Protected: 2000 V 0.501 at VGS = 2.5 V 20 0.505 0.92 • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.660 at VGS = 1.

5.2. si1046r.pdf Size:136K _vishay

Si1046R Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.420 at VGS = 4.5 V 0.606 • TrenchFET® Power MOSFET: 1.8 V Rated 20 0.501 at VGS = 2.5 V 0.505 0.92 • ESD Protected: 2000 V 0.660 at VGS = 1.8 V 0.15 • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPL

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