SI1040X
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI1040X
Маркировка: P*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.147
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 8
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 0.43
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.625
Ohm
Тип корпуса: SC-89-6
Аналог (замена) для SI1040X
SI1040X
Datasheet (PDF)
..1. Size:145K vishay
si1040x.pdf 
Si1040XVishay SiliconixLoad Switch with Level-ShiftFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS2 (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.625 at VIN = 4.5 V 0.43 TrenchFET Power MOSFET0.890 at VIN = 2.5 V 1.8 to 8 0.36 1.8 V to 8 V Input1.25 at VIN = 1.8 V 0.3 1.5 V to 8 V Logic Level Control Smallest LITTLE FOOT
9.1. Size:136K vishay
si1046r.pdf 
Si1046RVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.420 at VGS = 4.5 V 0.606 TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V Rated20 0.501 at VGS = 2.5 V 0.505 0.92 ESD Protected: 2000 V0.660 at VGS = 1.8 V 0.15 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPL
9.2. Size:115K vishay
si1046x.pdf 
New ProductSi1046XVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.420 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V Rated0.606 ESD Protected: 2000 V0.501 at VGS = 2.5 V 20 0.505 0.92 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.660 at VGS = 1.
Другие MOSFET... FMP36-015P
, FMP76-01T
, GMM3x100-01X1-SMD
, FDMS0306AS
, GMM3x120-0075X2-SMD
, FDMS0300S
, GMM3x160-0055X2-SMD
, FDMC7200S
, STP80NF70
, FDMC7200
, GMM3x60-015X2-SMD
, FDMC0310AS
, GWM100-0085X1-SL
, FDMS3610S
, GWM100-0085X1-SMD
, FDMS3606S
, GWM100-01X1-SL
.
