IRFR9012 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFR9012

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm

Encapsulados: TO252

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IRFR9012 datasheet

 7.1. Size:1864K  international rectifier
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IRFR9012

PD- 95383A IRFR9014PbF IRFU9014PbF Lead-Free 12/07/04 Document Number 91277 www.vishay.com 1 IRFR/U9014PbF Document Number 91277 www.vishay.com 2 IRFR/U9014PbF Document Number 91277 www.vishay.com 3 IRFR/U9014PbF Document Number 91277 www.vishay.com 4 IRFR/U9014PbF Document Number 91277 www.vishay.com 5 IRFR/U9014PbF Document Number 91277 www.vishay.com 6 I

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IRFR9012

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IRFR9012

IRFR9010, IRFU9010, SiHFR9010, SiHFU9010 www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Surface Mountable (Order as IRFR9010, VDS (V) - 50 SiHFR9010) Straight Lead Option (Order as IRFU9010, RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.50 SiHFU9010) Qg (Max.) (nC) 9.1 Repetitive Avalanche Ratings Qgs (nC) 3.0 Dynamic dV/dt Rating Simple Drive Requiremen

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