IRFR9012. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFR9012

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IRFR9012

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR9012 даташит

 ..1. Size:550K  1
irfr9010 irfr9012 irfu9010 irfu9012.pdfpdf_icon

IRFR9012

 7.1. Size:1864K  international rectifier
irfr9014pbf irfu9014pbf.pdfpdf_icon

IRFR9012

PD- 95383A IRFR9014PbF IRFU9014PbF Lead-Free 12/07/04 Document Number 91277 www.vishay.com 1 IRFR/U9014PbF Document Number 91277 www.vishay.com 2 IRFR/U9014PbF Document Number 91277 www.vishay.com 3 IRFR/U9014PbF Document Number 91277 www.vishay.com 4 IRFR/U9014PbF Document Number 91277 www.vishay.com 5 IRFR/U9014PbF Document Number 91277 www.vishay.com 6 I

 7.2. Size:177K  international rectifier
irfr9014.pdfpdf_icon

IRFR9012

 7.3. Size:247K  vishay
irfr9010pbf.pdfpdf_icon

IRFR9012

IRFR9010, IRFU9010, SiHFR9010, SiHFU9010 www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Surface Mountable (Order as IRFR9010, VDS (V) - 50 SiHFR9010) Straight Lead Option (Order as IRFU9010, RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.50 SiHFU9010) Qg (Max.) (nC) 9.1 Repetitive Avalanche Ratings Qgs (nC) 3.0 Dynamic dV/dt Rating Simple Drive Requiremen

Другие IGBT... IRFR411, IRFR420, IRFR420A, IRFR5305, IRFR5410, IRFR5505, IRFR6215, IRFR9010, IRF1010E, IRFR9014, IRFR9020, IRFR9022, IRFR9024, IRFR9024N, IRFR9110, IRFR9111, IRFR9120