SI1056X Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI1056X 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.236 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.32 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.089 Ohm
Encapsulados: SC-89
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SI1056X datasheet
si1056x.pdf
Si1056X Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.089 at VGS = 4.5 V 1.32 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested 0.098 at VGS = 2.5 V 1.26 20 5.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.121 at VGS = 1.8 V 1.13 APPLICATIONS Load Swit
si1051x.pdf
Si1051X Vishay Siliconix P-Channel 8 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.122 at VGS = - 4.5 V 1.2 TrenchFET Power MOSFET 0.141 at VGS = - 2.5 V 1.1 100 % Rg Tested - 8 5.91 0.168 at VGS = - 1.8 V 0.60 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.198 at VGS = - 1.5
si1054x.pdf
Si1054X Vishay Siliconix N-Channel 12 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.095 at VGS = 4.5 V 1.32 TrenchFET Power MOSFET 12 0.104 at VGS = 2.5 V 1.26 5.25 100 % Rg Tested 0.114 at VGS = 1.8 V 0.88 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Swi
si1050x.pdf
Si1050X Vishay Siliconix N-Channel 8 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.086 at VGS = 4.5 V 1.34a TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested 0.093 at VGS = 2.5 V 1.29 8 7.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.102 at VGS = 1.8 V 1.23 0.120 at VGS = 1.5 V
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: IXFH12N90P
🌐 : EN ES РУ
Liste
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