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SI1056X MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI1056X
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.236 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.089 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-89

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI1056X

 

Principales características: SI1056X

 ..1. Size:119K  vishay
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SI1056X

Si1056X Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.089 at VGS = 4.5 V 1.32 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested 0.098 at VGS = 2.5 V 1.26 20 5.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.121 at VGS = 1.8 V 1.13 APPLICATIONS Load Swit

 9.1. Size:122K  vishay
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SI1056X

Si1051X Vishay Siliconix P-Channel 8 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.122 at VGS = - 4.5 V 1.2 TrenchFET Power MOSFET 0.141 at VGS = - 2.5 V 1.1 100 % Rg Tested - 8 5.91 0.168 at VGS = - 1.8 V 0.60 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.198 at VGS = - 1.5

 9.2. Size:136K  vishay
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SI1056X

Si1054X Vishay Siliconix N-Channel 12 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.095 at VGS = 4.5 V 1.32 TrenchFET Power MOSFET 12 0.104 at VGS = 2.5 V 1.26 5.25 100 % Rg Tested 0.114 at VGS = 1.8 V 0.88 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Swi

 9.3. Size:121K  vishay
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SI1056X

Si1050X Vishay Siliconix N-Channel 8 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.086 at VGS = 4.5 V 1.34a TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested 0.093 at VGS = 2.5 V 1.29 8 7.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.102 at VGS = 1.8 V 1.23 0.120 at VGS = 1.5 V

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