SI1056X MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI1056X
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.236 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.089 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-89

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI1056X

SI1056X Datasheet (PDF)

..1. Size:119K vishay
si1056x.pdf

Si1056XVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.089 at VGS = 4.5 V 1.32 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested0.098 at VGS = 2.5 V 1.2620 5.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.121 at VGS = 1.8 V 1.13APPLICATIONS Load Swit

9.1. Size:122K vishay
si1051x.pdf

Si1051XVishay SiliconixP-Channel 8 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.122 at VGS = - 4.5 V 1.2 TrenchFET Power MOSFET0.141 at VGS = - 2.5 V 1.1 100 % Rg Tested- 8 5.910.168 at VGS = - 1.8 V 0.60 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.198 at VGS = - 1.5

9.2. Size:136K vishay
si1054x.pdf

Si1054XVishay SiliconixN-Channel 12 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.095 at VGS = 4.5 V 1.32 TrenchFET Power MOSFET12 0.104 at VGS = 2.5 V 1.26 5.25 100 % Rg Tested0.114 at VGS = 1.8 V 0.88 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Swi

9.3. Size:121K vishay
si1050x.pdf

Si1050XVishay SiliconixN-Channel 8 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.086 at VGS = 4.5 V 1.34a TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested0.093 at VGS = 2.5 V 1.298 7.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.102 at VGS = 1.8 V 1.230.120 at VGS = 1.5 V

9.4. Size:140K vishay
si1058x.pdf

Si1058XVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.091 at VGS = 4.5 V Material categorization:1.3a20 3.5For definitions of compliance please see 0.124 at VGS = 2.5 V 1.1www.vishay.com/doc?99912APPLICATIONS Load Switch for Portable Devices

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IXFE55N50

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: