SI1056X - описание и поиск аналогов

 

SI1056X. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI1056X

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.236 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.089 Ohm

Тип корпуса: SC-89

Аналог (замена) для SI1056X

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI1056X даташит

 ..1. Size:119K  vishay
 si1056x.pdf pdf_icon

SI1056X

Si1056X Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.089 at VGS = 4.5 V 1.32 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested 0.098 at VGS = 2.5 V 1.26 20 5.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.121 at VGS = 1.8 V 1.13 APPLICATIONS Load Swit

 9.1. Size:122K  vishay
 si1051x.pdf pdf_icon

SI1056X

Si1051X Vishay Siliconix P-Channel 8 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.122 at VGS = - 4.5 V 1.2 TrenchFET Power MOSFET 0.141 at VGS = - 2.5 V 1.1 100 % Rg Tested - 8 5.91 0.168 at VGS = - 1.8 V 0.60 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.198 at VGS = - 1.5

 9.2. Size:136K  vishay
 si1054x.pdf pdf_icon

SI1056X

Si1054X Vishay Siliconix N-Channel 12 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.095 at VGS = 4.5 V 1.32 TrenchFET Power MOSFET 12 0.104 at VGS = 2.5 V 1.26 5.25 100 % Rg Tested 0.114 at VGS = 1.8 V 0.88 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Swi

 9.3. Size:121K  vishay
 si1050x.pdf pdf_icon

SI1056X

Si1050X Vishay Siliconix N-Channel 8 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.086 at VGS = 4.5 V 1.34a TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested 0.093 at VGS = 2.5 V 1.29 8 7.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.102 at VGS = 1.8 V 1.23 0.120 at VGS = 1.5 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI1037X , SI1039X , SI1040X , SI1046R , SI1046X , SI1050X , SI1051X , SI1054X , 2N60 , SI1058X , SI1062X , SI1065X , SI1067X , SI1069X , SI1070X , SI1071X , SI1072X .

History: SIF4N65F | ZXMP6A16DN8 | CM8N80 | RU6199S | 2SK1237 | PJW4N06A-AU | DG2N65-252

 

 

 

 

↑ Back to Top
.