SI1062X MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI1062X
   Código: J*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.22 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.53 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 0.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.42 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-89

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI1062X

SI1062X Datasheet (PDF)

..1. Size:154K vishay
si1062x.pdf

New Product Si1062XVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) Gate-Source ESD Protected: 1000 V0.420 at VGS = 4.5 V 0.5 Material categorization:For definitions of compliance please see0.492 at VGS = 2.5 V 0.2www.vishay.com/doc?9991220 1 nC0.597 at VGS = 1.8 V 0.2

9.1. Size:142K vishay
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Si1065XVishay SiliconixP-Channel 12 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg Tested0.156 at VGS = - 4.5 V Material categorization:1.18For definitions of compliance please see0.190 at VGS = - 2.5V - 12 1.07 6.7 nCwww.vishay.com/doc?999120.245 at VGS = - 1.8V 0.49APPLICATIONS Loa

9.2. Size:121K vishay
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Si1069XVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.184 at VGS = - 4.5 V - 0.94 TrenchFET Power MOSFET- 20 4.230.268 at VGS = - 2.5 V - 0.78 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch for Portable

9.3. Size:120K vishay
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Si1067XVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.150 at VGS = - 4.5 V 1.06 TrenchFET Power MOSFET- 20 0.166 at VGS = - 2.5V 1.0 6.0 100 % Rg Tested0.214 at VGS = - 1.8V 0.49 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IXFE80N50 | IXFH60N20

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: