Справочник MOSFET. SI1062X

 

SI1062X MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI1062X
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.22 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.53 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm
   Тип корпуса: SC-89

 Аналог (замена) для SI1062X

 

 

SI1062X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  vishay
 si1062x.pdf

SI1062X SI1062X

New Product Si1062XVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) Gate-Source ESD Protected: 1000 V0.420 at VGS = 4.5 V 0.5 Material categorization:For definitions of compliance please see0.492 at VGS = 2.5 V 0.2www.vishay.com/doc?9991220 1 nC0.597 at VGS = 1.8 V 0.2

 9.1. Size:142K  vishay
 si1065x.pdf

SI1062X SI1062X

Si1065XVishay SiliconixP-Channel 12 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg Tested0.156 at VGS = - 4.5 V Material categorization:1.18For definitions of compliance please see0.190 at VGS = - 2.5V - 12 1.07 6.7 nCwww.vishay.com/doc?999120.245 at VGS = - 1.8V 0.49APPLICATIONS Loa

 9.2. Size:121K  vishay
 si1069x.pdf

SI1062X SI1062X

Si1069XVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.184 at VGS = - 4.5 V - 0.94 TrenchFET Power MOSFET- 20 4.230.268 at VGS = - 2.5 V - 0.78 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch for Portable

 9.3. Size:120K  vishay
 si1067x.pdf

SI1062X SI1062X

Si1067XVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.150 at VGS = - 4.5 V 1.06 TrenchFET Power MOSFET- 20 0.166 at VGS = - 2.5V 1.0 6.0 100 % Rg Tested0.214 at VGS = - 1.8V 0.49 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: IPB107N20NA

 

 
Back to Top