SI1317DL Todos los transistores

 

SI1317DL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI1317DL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: SOT-323

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SI1317DL datasheet

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SI1317DL

New Product Si1317DL Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)c Qg (Typ.) Definition 0.150 at VGS = - 4.5 V - 1.4 TrenchFET Power MOSFET - 20 0.192 at VGS = - 2.5 V - 1.3 4.3 nC 100 % Rg Tested 0.270 at VGS = - 1.8 V - 1.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

 9.1. Size:242K  vishay
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SI1317DL

New Product Si1315DL Vishay Siliconix P-Channel 8 V (D-S) MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)c Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.336 at VGS = - 4.5 V - 0.9 100 % Rg Tested - 8 0.450 at VGS = - 2.5 V - 0.7 1 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.650 at VGS = - 1.8 V - 0.5 APP

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