Справочник MOSFET. SI1317DL

 

SI1317DL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI1317DL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: SOT-323
 

 Аналог (замена) для SI1317DL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI1317DL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  vishay
 si1317dl.pdf pdf_icon

SI1317DL

New ProductSi1317DLVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.)Definition0.150 at VGS = - 4.5 V - 1.4 TrenchFET Power MOSFET- 20 0.192 at VGS = - 2.5 V - 1.3 4.3 nC 100 % Rg Tested0.270 at VGS = - 1.8 V - 1.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

 9.1. Size:242K  vishay
 si1315dl.pdf pdf_icon

SI1317DL

New ProductSi1315DLVishay SiliconixP-Channel 8 V (D-S) MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY DefinitionVDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.336 at VGS = - 4.5 V - 0.9 100 % Rg Tested- 8 0.450 at VGS = - 2.5 V - 0.7 1 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.650 at VGS = - 1.8 V - 0.5APP

Другие MOSFET... SI1303DL , SI1304BDL , SI1305DL , SI1305EDL , SI1307DL , SI1307EDL , SI1308EDL , SI1315DL , AO4468 , SI1330EDL , SI1400DL , SI1401EDH , SI1402DH , SI1403BDL , SI1403CDL , SI1404BDH , SI1405BDH .

History: RSS040P03FU6TB | HY4903B | HM12N65 | APT901R1HN | KI4532DY

 

 
Back to Top

 


 
.