SI1317DL - описание и поиск аналогов

 

SI1317DL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI1317DL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: SOT-323

Аналог (замена) для SI1317DL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI1317DL даташит

 ..1. Size:242K  vishay
 si1317dl.pdf pdf_icon

SI1317DL

New Product Si1317DL Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)c Qg (Typ.) Definition 0.150 at VGS = - 4.5 V - 1.4 TrenchFET Power MOSFET - 20 0.192 at VGS = - 2.5 V - 1.3 4.3 nC 100 % Rg Tested 0.270 at VGS = - 1.8 V - 1.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

 9.1. Size:242K  vishay
 si1315dl.pdf pdf_icon

SI1317DL

New Product Si1315DL Vishay Siliconix P-Channel 8 V (D-S) MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)c Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.336 at VGS = - 4.5 V - 0.9 100 % Rg Tested - 8 0.450 at VGS = - 2.5 V - 0.7 1 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.650 at VGS = - 1.8 V - 0.5 APP

Другие MOSFET... SI1303DL , SI1304BDL , SI1305DL , SI1305EDL , SI1307DL , SI1307EDL , SI1308EDL , SI1315DL , 60N06 , SI1330EDL , SI1400DL , SI1401EDH , SI1402DH , SI1403BDL , SI1403CDL , SI1404BDH , SI1405BDH .

History: FDPF5N50T

 

 

 

 

↑ Back to Top
.