SI1330EDL Todos los transistores

 

SI1330EDL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI1330EDL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-323
 

 Búsqueda de reemplazo de SI1330EDL MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SI1330EDL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:93K  vishay
 si1330edl.pdf pdf_icon

SI1330EDL

Si1330EDLVishay SiliconixN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition2.5 at VGS = 10 V 0.25 TrenchFET Power MOSFET60 3 at VGS = 4.5 V 0.23 ESD Protected: 2000 V8 at VGS = 3 V 0.05 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS P-Channel Driver- Notebook P

Otros transistores... SI1304BDL , SI1305DL , SI1305EDL , SI1307DL , SI1307EDL , SI1308EDL , SI1315DL , SI1317DL , 5N50 , SI1400DL , SI1401EDH , SI1402DH , SI1403BDL , SI1403CDL , SI1404BDH , SI1405BDH , SI1405DL .

History: NCE6012CS | IXFT86N30T | P1603BV | IRFS723 | ME70N03S-G | DH400P06F | IPB180N08S4-02

 

 
Back to Top

 


 
.