SI1330EDL Todos los transistores

 

SI1330EDL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI1330EDL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.28 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: SOT-323

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SI1330EDL datasheet

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SI1330EDL

Si1330EDL Vishay Siliconix N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 2.5 at VGS = 10 V 0.25 TrenchFET Power MOSFET 60 3 at VGS = 4.5 V 0.23 ESD Protected 2000 V 8 at VGS = 3 V 0.05 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS P-Channel Driver - Notebook P

Otros transistores... SI1304BDL , SI1305DL , SI1305EDL , SI1307DL , SI1307EDL , SI1308EDL , SI1315DL , SI1317DL , IRFP064N , SI1400DL , SI1401EDH , SI1402DH , SI1403BDL , SI1403CDL , SI1404BDH , SI1405BDH , SI1405DL .

History: STM102D

 

 

 

 

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