Справочник MOSFET. SI1330EDL

 

SI1330EDL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI1330EDL
   Маркировка: KD*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.24 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 0.4 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-323

 Аналог (замена) для SI1330EDL

 

 

SI1330EDL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:93K  vishay
 si1330edl.pdf

SI1330EDL SI1330EDL

Si1330EDLVishay SiliconixN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition2.5 at VGS = 10 V 0.25 TrenchFET Power MOSFET60 3 at VGS = 4.5 V 0.23 ESD Protected: 2000 V8 at VGS = 3 V 0.05 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS P-Channel Driver- Notebook P

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top