SI1330EDL - описание и поиск аналогов

 

SI1330EDL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI1330EDL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: SOT-323

Аналог (замена) для SI1330EDL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI1330EDL даташит

 ..1. Size:93K  vishay
 si1330edl.pdf pdf_icon

SI1330EDL

Si1330EDL Vishay Siliconix N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 2.5 at VGS = 10 V 0.25 TrenchFET Power MOSFET 60 3 at VGS = 4.5 V 0.23 ESD Protected 2000 V 8 at VGS = 3 V 0.05 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS P-Channel Driver - Notebook P

Другие MOSFET... SI1304BDL , SI1305DL , SI1305EDL , SI1307DL , SI1307EDL , SI1308EDL , SI1315DL , SI1317DL , IRFP064N , SI1400DL , SI1401EDH , SI1402DH , SI1403BDL , SI1403CDL , SI1404BDH , SI1405BDH , SI1405DL .

History: IRFB17N50L | FS2KMJ-3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.