SI1330EDL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI1330EDL
Маркировка: KD*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.28 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.24 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 0.4 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.5 Ohm
Тип корпуса: SOT-323
SI1330EDL Datasheet (PDF)
..1. Size:93K vishay
si1330edl.pdf
si1330edl.pdf
Si1330EDLVishay SiliconixN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition2.5 at VGS = 10 V 0.25 TrenchFET Power MOSFET60 3 at VGS = 4.5 V 0.23 ESD Protected: 2000 V8 at VGS = 3 V 0.05 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS P-Channel Driver- Notebook P
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
