Справочник MOSFET. SI1330EDL

 

SI1330EDL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI1330EDL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-323
 

 Аналог (замена) для SI1330EDL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI1330EDL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:93K  vishay
 si1330edl.pdf pdf_icon

SI1330EDL

Si1330EDLVishay SiliconixN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition2.5 at VGS = 10 V 0.25 TrenchFET Power MOSFET60 3 at VGS = 4.5 V 0.23 ESD Protected: 2000 V8 at VGS = 3 V 0.05 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS P-Channel Driver- Notebook P

Другие MOSFET... SI1304BDL , SI1305DL , SI1305EDL , SI1307DL , SI1307EDL , SI1308EDL , SI1315DL , SI1317DL , 5N50 , SI1400DL , SI1401EDH , SI1402DH , SI1403BDL , SI1403CDL , SI1404BDH , SI1405BDH , SI1405DL .

History: HM4485 | 2SK1204 | IXTA88N085T | PSMN7R0-30YLC | NTD4965N-1G | DMP58D0LFB

 

 
Back to Top

 


 
.