SI1450DH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI1450DH

Código: AH*

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.56 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 8 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 5 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4.53 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1 V

Tiempo de elevación (tr): 73 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 120 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.047 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT-363

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SI1450DH Datasheet (PDF)

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Si1450DH Vishay Siliconix N-Channel 8 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) (Ω)ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.047 at VGS = 4.5 V 4.0a • TrenchFET® Power MOSFET: 1.5 V Rated 0.051 at VGS = 2.5 V 4.0a • 100 % Rg Tested 8 4.24 nC 0.058 at VGS = 1.8 V 4.0a • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.069 at VGS

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Liste

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