SI1450DH Todos los transistores

 

SI1450DH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI1450DH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 8 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 5 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.53 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 73 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.047 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363
 

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SI1450DH datasheet

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SI1450DH

Si1450DH Vishay Siliconix N-Channel 8 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.047 at VGS = 4.5 V 4.0a TrenchFET Power MOSFET 1.5 V Rated 0.051 at VGS = 2.5 V 4.0a 100 % Rg Tested 8 4.24 nC 0.058 at VGS = 1.8 V 4.0a Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.069 at VGS

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