Справочник MOSFET. SI1450DH

 

SI1450DH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI1450DH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 8 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.53 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 73 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.047 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для SI1450DH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI1450DH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:117K  vishay
 si1450dh.pdf pdf_icon

SI1450DH

Si1450DHVishay SiliconixN-Channel 8 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.047 at VGS = 4.5 V 4.0a TrenchFET Power MOSFET: 1.5 V Rated0.051 at VGS = 2.5 V 4.0a 100 % Rg Tested8 4.24 nC0.058 at VGS = 1.8 V 4.0a Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.069 at VGS

Другие MOSFET... SI1426DH , SI1427EDH , SI1428EDH , SI1431DH , SI1433DH , SI1441EDH , SI1442DH , SI1443EDH , STP75NF75 , SI1467DH , SI1469DH , SI1470DH , SI1471DH , SI1473DH , SI1480DH , SI1488DH , SI1489EDH .

History: QS6M4 | P2806AT | SHD226314 | AP6N3R1LH | MS65R120F | DMP10H400SK3 | PMGD280UN

 

 
Back to Top

 


 
.