SI1499DH Todos los transistores

 

SI1499DH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI1499DH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 8 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 5 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.078 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363
 

 Búsqueda de reemplazo de SI1499DH MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SI1499DH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  vishay
 si1499dh.pdf pdf_icon

SI1499DH

Si1499DHVishay SiliconixP-Channel 1.2 V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.)Definition0.078 at VGS = - 4.5 V - 1.6 TrenchFET Power MOSFET0.095 at VGS = - 2.5 V - 1.6 Ultra-Low On-Resistance- 8 0.115 at VGS = - 1.8 V - 1.6 10.5 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.153

Otros transistores... SI1467DH , SI1469DH , SI1470DH , SI1471DH , SI1473DH , SI1480DH , SI1488DH , SI1489EDH , IRF4905 , SI1539CDL , SI1551DL , SI1553CDL , SI1555DL , SI1563DH , SI1563EDH , SI1865DDL , SI1869DH .

History: AOT15S60L | CEF1195 | IPB12CN10NG

 

 
Back to Top

 


 
.