SI1499DH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI1499DH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 8 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 5 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.078 Ohm
Encapsulados: SOT-363
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SI1499DH datasheet
si1499dh.pdf
Si1499DH Vishay Siliconix P-Channel 1.2 V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)c Qg (Typ.) Definition 0.078 at VGS = - 4.5 V - 1.6 TrenchFET Power MOSFET 0.095 at VGS = - 2.5 V - 1.6 Ultra-Low On-Resistance - 8 0.115 at VGS = - 1.8 V - 1.6 10.5 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.153
Otros transistores... SI1467DH , SI1469DH , SI1470DH , SI1471DH , SI1473DH , SI1480DH , SI1488DH , SI1489EDH , IRF4905 , SI1539CDL , SI1551DL , SI1553CDL , SI1555DL , SI1563DH , SI1563EDH , SI1865DDL , SI1869DH .
History: SUF3001 | SI1400DL | STK7002 | FS2KM-18A
History: SUF3001 | SI1400DL | STK7002 | FS2KM-18A
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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