Справочник MOSFET. SI1499DH

 

SI1499DH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI1499DH
   Маркировка: BI*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 8 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 5 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.8 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 1.6 nC
   Время нарастания (tr): 40 ns
   Выходная емкость (Cd): 220 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.078 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363

 Аналог (замена) для SI1499DH

 

 

SI1499DH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  vishay
 si1499dh.pdf

SI1499DH SI1499DH

Si1499DHVishay SiliconixP-Channel 1.2 V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.)Definition0.078 at VGS = - 4.5 V - 1.6 TrenchFET Power MOSFET0.095 at VGS = - 2.5 V - 1.6 Ultra-Low On-Resistance- 8 0.115 at VGS = - 1.8 V - 1.6 10.5 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.153

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top