SI1499DH - описание и поиск аналогов

 

SI1499DH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI1499DH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 8 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 5 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.078 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для SI1499DH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI1499DH даташит

 ..1. Size:244K  vishay
 si1499dh.pdf pdf_icon

SI1499DH

Si1499DH Vishay Siliconix P-Channel 1.2 V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)c Qg (Typ.) Definition 0.078 at VGS = - 4.5 V - 1.6 TrenchFET Power MOSFET 0.095 at VGS = - 2.5 V - 1.6 Ultra-Low On-Resistance - 8 0.115 at VGS = - 1.8 V - 1.6 10.5 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.153

Другие MOSFET... SI1467DH , SI1469DH , SI1470DH , SI1471DH , SI1473DH , SI1480DH , SI1488DH , SI1489EDH , IRF4905 , SI1539CDL , SI1551DL , SI1553CDL , SI1555DL , SI1563DH , SI1563EDH , SI1865DDL , SI1869DH .

History: SI1416EDH | SI1480DH

 

 

 

 

↑ Back to Top
.