Справочник MOSFET. SI1499DH

 

SI1499DH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI1499DH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 8 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.078 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для SI1499DH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI1499DH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  vishay
 si1499dh.pdf pdf_icon

SI1499DH

Si1499DHVishay SiliconixP-Channel 1.2 V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.)Definition0.078 at VGS = - 4.5 V - 1.6 TrenchFET Power MOSFET0.095 at VGS = - 2.5 V - 1.6 Ultra-Low On-Resistance- 8 0.115 at VGS = - 1.8 V - 1.6 10.5 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.153

Другие MOSFET... SI1467DH , SI1469DH , SI1470DH , SI1471DH , SI1473DH , SI1480DH , SI1488DH , SI1489EDH , IRF4905 , SI1539CDL , SI1551DL , SI1553CDL , SI1555DL , SI1563DH , SI1563EDH , SI1865DDL , SI1869DH .

History: IPD050N03L

 

 
Back to Top

 


 
.