SI1922EDH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI1922EDH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.74 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.198 Ohm
Encapsulados: SOT-363
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SI1922EDH datasheet
si1922edh.pdf
Si1922EDH Vishay Siliconix Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.198 at VGS = 4.5 V 1.3a 100 % Rg Tested 20 0.225 at VGS = 2.5 V 1.3a 0.9 nC Typical ESD Protection 2100 V HBM 0.263 at VGS = 1.8 V 1.3a Compliant to RoHS Di
Otros transistores... SI1553CDL , SI1555DL , SI1563DH , SI1563EDH , SI1865DDL , SI1869DH , SI1902CDL , SI1917EDH , 12N60 , SI1926DL , SI1958DH , SI1965DH , SI1967DH , SI1972DH , SI2202 , SI2300DS , SI2301CDS .
History: BSC034N03LS
History: BSC034N03LS
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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