Справочник MOSFET. SI1922EDH

 

SI1922EDH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI1922EDH
   Маркировка: CG*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.198 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363

 Аналог (замена) для SI1922EDH

 

 

SI1922EDH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:256K  vishay
 si1922edh.pdf

SI1922EDH SI1922EDH

Si1922EDHVishay SiliconixDual N-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET0.198 at VGS = 4.5 V 1.3a 100 % Rg Tested20 0.225 at VGS = 2.5 V 1.3a 0.9 nC Typical ESD Protection 2100 V HBM0.263 at VGS = 1.8 V 1.3a Compliant to RoHS Di

 9.1. Size:225K  vishay
 si1926dl.pdf

SI1922EDH SI1922EDH

Si1926DLVishay SiliconixDual N-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition1.4 at VGS = 10 V 0.37 TrenchFET Power MOSFET60 0.47 100 % Rg Tested3.0 at VGS = 4.5 V 0.25 ESD Protected: 1800 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSSOT-363

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top