SI1922EDH. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SI1922EDH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.74 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.198 Ohm
Тип корпуса: SOT-363
Аналог (замена) для SI1922EDH
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI1922EDH даташит
si1922edh.pdf
Si1922EDH Vishay Siliconix Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.198 at VGS = 4.5 V 1.3a 100 % Rg Tested 20 0.225 at VGS = 2.5 V 1.3a 0.9 nC Typical ESD Protection 2100 V HBM 0.263 at VGS = 1.8 V 1.3a Compliant to RoHS Di
Другие MOSFET... SI1553CDL , SI1555DL , SI1563DH , SI1563EDH , SI1865DDL , SI1869DH , SI1902CDL , SI1917EDH , 12N60 , SI1926DL , SI1958DH , SI1965DH , SI1967DH , SI1972DH , SI2202 , SI2300DS , SI2301CDS .
History: FS2KMJ-3 | IRFB17N50L
History: FS2KMJ-3 | IRFB17N50L
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sd947 | a763 transistor | fhp40n20 | 2n3035 transistor | 2sb649a | 2sd188 | k b778 transistor | 2n5133 datasheet