Справочник MOSFET. SI1922EDH

 

SI1922EDH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI1922EDH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.198 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для SI1922EDH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI1922EDH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:256K  vishay
 si1922edh.pdf pdf_icon

SI1922EDH

Si1922EDHVishay SiliconixDual N-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET0.198 at VGS = 4.5 V 1.3a 100 % Rg Tested20 0.225 at VGS = 2.5 V 1.3a 0.9 nC Typical ESD Protection 2100 V HBM0.263 at VGS = 1.8 V 1.3a Compliant to RoHS Di

 9.1. Size:225K  vishay
 si1926dl.pdf pdf_icon

SI1922EDH

Si1926DLVishay SiliconixDual N-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition1.4 at VGS = 10 V 0.37 TrenchFET Power MOSFET60 0.47 100 % Rg Tested3.0 at VGS = 4.5 V 0.25 ESD Protected: 1800 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSSOT-363

Другие MOSFET... SI1553CDL , SI1555DL , SI1563DH , SI1563EDH , SI1865DDL , SI1869DH , SI1902CDL , SI1917EDH , 4N60 , SI1926DL , SI1958DH , SI1965DH , SI1967DH , SI1972DH , SI2202 , SI2300DS , SI2301CDS .

History: CM20N50PZ | P2610ADG | 2SJ293 | 2SK135 | IPB45P03P4L-11 | PMV65XP | 2SK4075B

 

 
Back to Top

 


 
.