SI1958DH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI1958DH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.74 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 26 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.205 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363

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SI1958DH Datasheet (PDF)

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si1958dh.pdf

Si1958DHVishay SiliconixDual N-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.205 at VGS = 4.5 V 1.3a TrenchFET Power MOSFET20 1.2 nC0.340 at VGS = 2.5 V 1.3a Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch for Portable ApplicationsSOT-363

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History: IXFH50N60X

Liste

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