SI1958DH Todos los transistores

 

SI1958DH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI1958DH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.74 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 26 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.205 Ohm

Encapsulados: SOT-363

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SI1958DH datasheet

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SI1958DH

Si1958DH Vishay Siliconix Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.205 at VGS = 4.5 V 1.3a TrenchFET Power MOSFET 20 1.2 nC 0.340 at VGS = 2.5 V 1.3a Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Switch for Portable Applications SOT-363

Otros transistores... SI1563DH , SI1563EDH , SI1865DDL , SI1869DH , SI1902CDL , SI1917EDH , SI1922EDH , SI1926DL , IRF1010E , SI1965DH , SI1967DH , SI1972DH , SI2202 , SI2300DS , SI2301CDS , SI2301-TP , SI2302ADS .

History: WMQ25P04T1

 

 

 

 

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