SI1958DH - описание и поиск аналогов

 

SI1958DH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI1958DH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.205 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для SI1958DH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI1958DH даташит

 ..1. Size:115K  vishay
 si1958dh.pdf pdf_icon

SI1958DH

Si1958DH Vishay Siliconix Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.205 at VGS = 4.5 V 1.3a TrenchFET Power MOSFET 20 1.2 nC 0.340 at VGS = 2.5 V 1.3a Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Switch for Portable Applications SOT-363

Другие MOSFET... SI1563DH , SI1563EDH , SI1865DDL , SI1869DH , SI1902CDL , SI1917EDH , SI1922EDH , SI1926DL , IRF1010E , SI1965DH , SI1967DH , SI1972DH , SI2202 , SI2300DS , SI2301CDS , SI2301-TP , SI2302ADS .

History: STD150NH02L-1 | SNN01Z10D | CEM9956A | HM10N10I

 

 

 

 

↑ Back to Top
.