Справочник MOSFET. SI1958DH

 

SI1958DH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI1958DH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.205 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для SI1958DH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI1958DH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:115K  vishay
 si1958dh.pdf pdf_icon

SI1958DH

Si1958DHVishay SiliconixDual N-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.205 at VGS = 4.5 V 1.3a TrenchFET Power MOSFET20 1.2 nC0.340 at VGS = 2.5 V 1.3a Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch for Portable ApplicationsSOT-363

Другие MOSFET... SI1563DH , SI1563EDH , SI1865DDL , SI1869DH , SI1902CDL , SI1917EDH , SI1922EDH , SI1926DL , IRF530 , SI1965DH , SI1967DH , SI1972DH , SI2202 , SI2300DS , SI2301CDS , SI2301-TP , SI2302ADS .

 

 
Back to Top

 


 
.