SI1958DH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SI1958DH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.74 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.205 Ohm
Тип корпуса: SOT-363
SI1958DH Datasheet (PDF)
si1958dh.pdf

Si1958DHVishay SiliconixDual N-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.205 at VGS = 4.5 V 1.3a TrenchFET Power MOSFET20 1.2 nC0.340 at VGS = 2.5 V 1.3a Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch for Portable ApplicationsSOT-363
Другие MOSFET... SI1563DH , SI1563EDH , SI1865DDL , SI1869DH , SI1902CDL , SI1917EDH , SI1922EDH , SI1926DL , IRF530 , SI1965DH , SI1967DH , SI1972DH , SI2202 , SI2300DS , SI2301CDS , SI2301-TP , SI2302ADS .
History: IRFR220A
History: IRFR220A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ080P03A | JMTQ075N03D | JMTQ062N04A | JMTQ055N04A | JMTQ050N02A | JMTQ040N03A | JMTQ025N02A | JMTP11DN10A | JMTP110N06D | JMTP110N06A | JMTP085P02A | JMTP080P03A | JMTP080N04D | JMTP080N04A | JMTP075N06A | JMTP045N03A
Popular searches
fhp40n20 | 2n3035 transistor | 2sb649a | 2sd188 | k b778 transistor | 2n5133 datasheet | 2sa726 transistor | 7506 mosfet