SI1965DH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI1965DH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.74 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 41 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.39 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI1965DH

SI1965DH Datasheet (PDF)

..1. Size:108K vishay
si1965dh.pdf

Si1965DHVishay SiliconixDual P-Channel 12 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.390 at VGS = - 4.5 V - 1.3a TrenchFET Power MOSFET- 12 0.535 at VGS = - 2.5 V - 1.2 1.7 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.710 at VGS = - 1.8 V - 1.1APPLICATIONS Load Switch

..2. Size:1453K cn vbsemi
si1965dh.pdf

SI1965DHwww.VBsemi.twDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.155 at VGS = - 4.5V - 1.8 TrenchFET Power MOSFET- 20 2.7 nC0.235 at VGS = - 2.5 V - 1.5 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSC-70=-6S1 S2S1 1 6 D1G1 G2G1 2 5 G2

9.1. Size:108K vishay
si1967dh.pdf

Si1967DHVishay SiliconixDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.490 at VGS = - 4.5 V - 1.3a TrenchFET Power MOSFET PWM Optimized- 20 0.640 at VGS = - 2.5 V - 1.2 1.6 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.790 at VGS = - 1.8 V - 1.0APPLICATI

9.2. Size:858K cn vbsemi
si1967dh-t1-ge3.pdf

SI1967DH-T1-GE3www.VBsemi.twDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.155 at VGS = - 4.5V - 1.8 TrenchFET Power MOSFET- 20 2.7 nC0.235 at VGS = - 2.5 V - 1.5 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSC-70=-6S1 S2S1 1 6 D1G1 G2G1

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: