SI1965DH - описание и поиск аналогов

 

SI1965DH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI1965DH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.39 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для SI1965DH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI1965DH даташит

 ..1. Size:108K  vishay
si1965dh.pdfpdf_icon

SI1965DH

Si1965DH Vishay Siliconix Dual P-Channel 12 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.390 at VGS = - 4.5 V - 1.3a TrenchFET Power MOSFET - 12 0.535 at VGS = - 2.5 V - 1.2 1.7 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.710 at VGS = - 1.8 V - 1.1 APPLICATIONS Load Switch

 ..2. Size:1453K  cn vbsemi
si1965dh.pdfpdf_icon

SI1965DH

SI1965DH www.VBsemi.tw Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.155 at VGS = - 4.5V - 1.8 TrenchFET Power MOSFET - 20 2.7 nC 0.235 at VGS = - 2.5 V - 1.5 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SC-70=-6 S1 S2 S1 1 6 D1 G1 G2 G1 2 5 G2

 9.1. Size:108K  vishay
si1967dh.pdfpdf_icon

SI1965DH

Si1967DH Vishay Siliconix Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.490 at VGS = - 4.5 V - 1.3a TrenchFET Power MOSFET PWM Optimized - 20 0.640 at VGS = - 2.5 V - 1.2 1.6 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.790 at VGS = - 1.8 V - 1.0 APPLICATI

 9.2. Size:858K  cn vbsemi
si1967dh-t1-ge3.pdfpdf_icon

SI1965DH

SI1967DH-T1-GE3 www.VBsemi.tw Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.155 at VGS = - 4.5V - 1.8 TrenchFET Power MOSFET - 20 2.7 nC 0.235 at VGS = - 2.5 V - 1.5 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SC-70=-6 S1 S2 S1 1 6 D1 G1 G2 G1

Другие MOSFET... SI1563EDH , SI1865DDL , SI1869DH , SI1902CDL , SI1917EDH , SI1922EDH , SI1926DL , SI1958DH , IRFB3607 , SI1967DH , SI1972DH , SI2202 , SI2300DS , SI2301CDS , SI2301-TP , SI2302ADS , SI2302ADS-T1 .

History: STY112N65M5 | IRFR7446 | BSC059N03SG

 

 

 

 

↑ Back to Top
.