SI1972DH Todos los transistores

 

SI1972DH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI1972DH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.74 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.225 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI1972DH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:254K  vishay
 si1972dh.pdf pdf_icon

SI1972DH

Si1972DHVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET0.190 at VGS = 10 V 1.330 0.91 nC 100 % Rg Tested0.344 at VGS = 4.5 V 1.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSSOT-363SC-70 (6-LEADS) Loa

 9.1. Size:115K  vishay
 si1970dh.pdf pdf_icon

SI1972DH

Si1970DHVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.225 at VGS = 4.5 V 1.3a TrenchFET Power MOSFET30 1.15 nC0.345 at VGS = 2.5 V 1.3a Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSSOT-363 Load Switch for Portable Applicati

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SK2931 | FQPF13N50C

 

 
Back to Top

 


 
.