SI1972DH Todos los transistores

 

SI1972DH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI1972DH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.74 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.225 Ohm

Encapsulados: SOT-363

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SI1972DH datasheet

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SI1972DH

Si1972DH Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.190 at VGS = 10 V 1.3 30 0.91 nC 100 % Rg Tested 0.344 at VGS = 4.5 V 1.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS SOT-363 SC-70 (6-LEADS) Loa

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SI1972DH

Si1970DH Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.225 at VGS = 4.5 V 1.3a TrenchFET Power MOSFET 30 1.15 nC 0.345 at VGS = 2.5 V 1.3a Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS SOT-363 Load Switch for Portable Applicati

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