SI1972DH Todos los transistores

 

SI1972DH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI1972DH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.74 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.225 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363
 

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SI1972DH Datasheet (PDF)

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SI1972DH

Si1972DHVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET0.190 at VGS = 10 V 1.330 0.91 nC 100 % Rg Tested0.344 at VGS = 4.5 V 1.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSSOT-363SC-70 (6-LEADS) Loa

 9.1. Size:115K  vishay
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SI1972DH

Si1970DHVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.225 at VGS = 4.5 V 1.3a TrenchFET Power MOSFET30 1.15 nC0.345 at VGS = 2.5 V 1.3a Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSSOT-363 Load Switch for Portable Applicati

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History: IXTH2R4N120P | IRLR4343 | IXTH300N04T2 | 2SK4058-ZK-E1-AY | YJD60N02A | YJD50N03A | 2SK2943

 

 
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