Справочник MOSFET. SI1972DH

 

SI1972DH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI1972DH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.225 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для SI1972DH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI1972DH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:254K  vishay
 si1972dh.pdf pdf_icon

SI1972DH

Si1972DHVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET0.190 at VGS = 10 V 1.330 0.91 nC 100 % Rg Tested0.344 at VGS = 4.5 V 1.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSSOT-363SC-70 (6-LEADS) Loa

 9.1. Size:115K  vishay
 si1970dh.pdf pdf_icon

SI1972DH

Si1970DHVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.225 at VGS = 4.5 V 1.3a TrenchFET Power MOSFET30 1.15 nC0.345 at VGS = 2.5 V 1.3a Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSSOT-363 Load Switch for Portable Applicati

Другие MOSFET... SI1869DH , SI1902CDL , SI1917EDH , SI1922EDH , SI1926DL , SI1958DH , SI1965DH , SI1967DH , AO4407 , SI2202 , SI2300DS , SI2301CDS , SI2301-TP , SI2302ADS , SI2302ADS-T1 , SI2302CDS , SI2302DDS .

History: 2SK2162 | VBA1310S | AO3415A

 

 
Back to Top

 


 
.