Справочник MOSFET. SI1972DH

 

SI1972DH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI1972DH
   Маркировка: CE*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.74 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.8 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.3 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 1.3 nC
   Время нарастания (tr): 50 ns
   Выходная емкость (Cd): 18 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.225 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363

 Аналог (замена) для SI1972DH

 

 

SI1972DH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:254K  vishay
 si1972dh.pdf

SI1972DH SI1972DH

Si1972DHVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET0.190 at VGS = 10 V 1.330 0.91 nC 100 % Rg Tested0.344 at VGS = 4.5 V 1.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSSOT-363SC-70 (6-LEADS) Loa

 9.1. Size:115K  vishay
 si1970dh.pdf

SI1972DH SI1972DH

Si1970DHVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.225 at VGS = 4.5 V 1.3a TrenchFET Power MOSFET30 1.15 nC0.345 at VGS = 2.5 V 1.3a Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSSOT-363 Load Switch for Portable Applicati

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top