SI1972DH - описание и поиск аналогов

 

SI1972DH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI1972DH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.225 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для SI1972DH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI1972DH даташит

 ..1. Size:254K  vishay
 si1972dh.pdf pdf_icon

SI1972DH

Si1972DH Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.190 at VGS = 10 V 1.3 30 0.91 nC 100 % Rg Tested 0.344 at VGS = 4.5 V 1.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS SOT-363 SC-70 (6-LEADS) Loa

 9.1. Size:115K  vishay
 si1970dh.pdf pdf_icon

SI1972DH

Si1970DH Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.225 at VGS = 4.5 V 1.3a TrenchFET Power MOSFET 30 1.15 nC 0.345 at VGS = 2.5 V 1.3a Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS SOT-363 Load Switch for Portable Applicati

Другие MOSFET... SI1869DH , SI1902CDL , SI1917EDH , SI1922EDH , SI1926DL , SI1958DH , SI1965DH , SI1967DH , IRF530 , SI2202 , SI2300DS , SI2301CDS , SI2301-TP , SI2302ADS , SI2302ADS-T1 , SI2302CDS , SI2302DDS .

History: FKBA3004 | BS250FTC

 

 

 

 

↑ Back to Top
.