IRFR9120N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFR9120N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm
Encapsulados: TO252
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IRFR9120N datasheet
irfr9120npbf irfu9120npbf.pdf
PD-95020A IRFR9120NPbF IRFU9120NPbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance l P-Channel D VDSS = -100V l Surface Mount (IRFR9120N) l Straight Lead (IRFU9120N) l Advanced Process Technology RDS(on) = 0.48 G l Fast Switching l Fully Avalanche Rated ID = -6.6A S l Lead-Free Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing
irfr9120n.pdf
PD - 9.1507A IRFR/U9120N PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance D P-Channel VDSS = -100V Surface Mount (IRFR9120N) Straight Lead (IRFU9120N) RDS(on) = 0.48 Advanced Process Technology G Fast Switching ID = -6.6A Fully Avalanche Rated S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achie
irfr9120ntrpbf.pdf
IRFR9120NTRPBF www.VBsemi.tw P-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.250 at VGS = - 10 V - 8.8 TrenchFET Power MOSFET - 100 11.7 0.280 at VGS = - 4.5 V - 8.0 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS TO-251 Power Switc
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Liste
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