IRFR9120N. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRFR9120N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для IRFR9120N
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFR9120N даташит
irfr9120npbf irfu9120npbf.pdf
PD-95020A IRFR9120NPbF IRFU9120NPbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance l P-Channel D VDSS = -100V l Surface Mount (IRFR9120N) l Straight Lead (IRFU9120N) l Advanced Process Technology RDS(on) = 0.48 G l Fast Switching l Fully Avalanche Rated ID = -6.6A S l Lead-Free Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing
irfr9120n.pdf
PD - 9.1507A IRFR/U9120N PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance D P-Channel VDSS = -100V Surface Mount (IRFR9120N) Straight Lead (IRFU9120N) RDS(on) = 0.48 Advanced Process Technology G Fast Switching ID = -6.6A Fully Avalanche Rated S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achie
irfr9120ntrpbf.pdf
IRFR9120NTRPBF www.VBsemi.tw P-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.250 at VGS = - 10 V - 8.8 TrenchFET Power MOSFET - 100 11.7 0.280 at VGS = - 4.5 V - 8.0 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS TO-251 Power Switc
Другие IGBT... IRFR9014, IRFR9020, IRFR9022, IRFR9024, IRFR9024N, IRFR9110, IRFR9111, IRFR9120, TK10A60D, IRFR9121, IRFR9210, IRFR9212, IRFR9214, IRFR9220, IRFR9222, IRFR9310, IRFRC20
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023 | tip36c transistor








