IRFR9121 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFR9121

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 128 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: TO252

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IRFR9121 datasheet

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IRFR9121

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IRFR9121

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IRFR9121

PD-95020A IRFR9120NPbF IRFU9120NPbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance l P-Channel D VDSS = -100V l Surface Mount (IRFR9120N) l Straight Lead (IRFU9120N) l Advanced Process Technology RDS(on) = 0.48 G l Fast Switching l Fully Avalanche Rated ID = -6.6A S l Lead-Free Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing

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IRFR9121

PD - 9.1507A IRFR/U9120N PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance D P-Channel VDSS = -100V Surface Mount (IRFR9120N) Straight Lead (IRFU9120N) RDS(on) = 0.48 Advanced Process Technology G Fast Switching ID = -6.6A Fully Avalanche Rated S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achie

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