IRFR9121 - аналоги и даташиты транзистора

 

IRFR9121 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRFR9121
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 128 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR9121 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:298K  1
 irfr9120 irfr9121 irfu9120 irfu9121.pdf pdf_icon

IRFR9121

 7.1. Size:173K  international rectifier
 irfr9120.pdf pdf_icon

IRFR9121

 7.2. Size:257K  international rectifier
 irfr9120npbf irfu9120npbf.pdf pdf_icon

IRFR9121

PD-95020AIRFR9120NPbFIRFU9120NPbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-Resistancel P-ChannelDVDSS = -100Vl Surface Mount (IRFR9120N)l Straight Lead (IRFU9120N)l Advanced Process TechnologyRDS(on) = 0.48Gl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedID = -6.6ASl Lead-FreeDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing

 7.3. Size:117K  international rectifier
 irfr9120n.pdf pdf_icon

IRFR9121

PD - 9.1507AIRFR/U9120NPRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceD P-ChannelVDSS = -100V Surface Mount (IRFR9120N) Straight Lead (IRFU9120N)RDS(on) = 0.48 Advanced Process TechnologyG Fast SwitchingID = -6.6A Fully Avalanche RatedSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achie

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFR9020 , IRFR9022 , IRFR9024 , IRFR9024N , IRFR9110 , IRFR9111 , IRFR9120 , IRFR9120N , P60NF06 , IRFR9210 , IRFR9212 , IRFR9214 , IRFR9220 , IRFR9222 , IRFR9310 , IRFRC20 , IRFS11N50A .

 

 
Back to Top

 


 
.