SI2321 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI2321
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.057 Ohm
Encapsulados: SOT-23
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SI2321 datasheet
si2321ds.pdf
Si2321DS Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFETS 0.057 at VGS = - 4.5 V - 3.3 RoHS 0.076 at VGS = - 2.5 V - 20 - 2.8 COMPLIANT APPLICATIONS 0.110 at VGS = - 1.8 V - 2.3 Load Switch PA Switch TO-236 (SOT-23) G 1 3 D S 2 Top View Si2321
si2321ds.pdf
SMD Type MOSFET P-Channel Enhancement MOSFET SI2321DS (KI2321DS) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 Features +0.1 0.4-0.1 VDS (V) =-20V 3 ID =-3.3A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 57m (VGS =-4.5V) RDS(ON) 76m (VGS =-2.5V) 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 RDS(ON) 110m (VGS =-1.8V) +0.1 1.9 -0.1 G 1 1.Gate 3 D 2.Source S 2 3.Drain
si2321ds-3.pdf
SMD Type MOSFET P-Channel Enhancement MOSFET SI2321DS (KI2321DS) SOT-23-3 Unit mm +0.2 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 Features 3 VDS (V) =-20V ID =-3.3A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 57m (VGS =-4.5V) 1 2 RDS(ON) 76m (VGS =-2.5V) +0.02 +0.1 0.15 -0.02 0.95 -0.1 +0.1 1.9 -0.2 RDS(ON) 110m (VGS =-1.8V) G 1 3 D 1. Gate S 2 2. Source 3. Drai
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